N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 14 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 96pF. Kostnad): 29pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 2.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K3850. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 9 ns. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanals transistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 45pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1.4us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K3878. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 65 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-3PN. Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4250pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. G-S Skydd: ja. Id(imp): 80A. Märkning på höljet: K3911. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Fälteffekt MOS-typ (MACH-II-MOS VI). Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 4250pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 380 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. G-S Skydd: ja. Id(imp): 92A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Fälteffekt MOS-typ (MACH-II-MOS VI). Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 4 v. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2400pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 52A. Märkning på höljet: K4012. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS VI). Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.35 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( 2-10U1B ). Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 18A. Märkning på höljet: K4013 Q. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 80 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS IV). Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (U-MOS III)

N-kanals transistor, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 5.2m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 2900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högströmskopplingsapplikationer. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K4075. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 52W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 54 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: POWER MOSFET, Fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanals transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 3400pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 80A. IDss (min): n/a. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 280 ns. Td(på): 130 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (MOS VI). Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: V-MOS. Pd (effektförlust, max): 100W

N-kanals transistor, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Resistans Rds På: 2.5 Ohms. Spänning Vds(max): 850V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 150W

N-kanals transistor, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 100W. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Resistans Rds På: 4 Ohms. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. obs: (F). Pd (effektförlust, max): 40W. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 900pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 12A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: Samsung B4054-0018. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: V-MOS S-L. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 0.6A. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Relädrift, Motordrift. Id(imp): 1.8A. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

N-kanals transistor, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 40W. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Id(imp): 26A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: F-II Series POWER MOSFET

N-kanals transistor, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 3.7 Ohms. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): SSFP. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 7pF. Kostnad): 5.9pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 0.6A. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 150 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Grind/källa spänning (av) max.: 1.3V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.4V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-343, 12.5V, 30mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-343. Drain-source spänning Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Gate haverispänning Ugs [V]: 1V. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

N-kanals transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 10mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ALF08P20V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Port-/källspänning Vgs: 14V

N-kanals transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. Resistans Rds På: 22m Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 630pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16.8 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 25A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21.5 ns. Td(på): 3.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Port-/källspänning Vgs: 12V

N-kanals transistor, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 23.4m Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 621pF. Kostnad): 118pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15.1 ns. Td(på): 4.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (max): 4.1A. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 520pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 11 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Port-/källspänning Vgs: 20V

N-kanals transistor, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 18M Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 1160pF. Kostnad): 187pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: ja. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Spec info: ESD-skyddad. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51.7 ns. Td(på): 6.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

N-kanals transistor, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0047 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 6060pF. Kostnad): 638pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Low side switch in Notebook CPU core power converter. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. RoHS: ja. Spec info: Ultralågt grindmotstånd. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51.5 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V