N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1685pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 55ms. Funktion: Strömförsörjning med högfrekvent switchläge. Kollektorström: 56A. Ic(puls): 65A. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: POWER MOS 7® IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 4360pF. Kostnad): 895pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 280 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 164A. IDss (min): 250uA. Pd (effektförlust, max): 378W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: Power MOS 7 FREDFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 7400pF. Kostnad): 1000pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 450W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Power MOSV. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2600pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSV. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-343, 5V, 0.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-343. Drain-source spänning Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: 5Fx. Gate haverispänning Ugs [V]: 0.37V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.27W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor. Antal per fodral: 1. obs: TU

N-kanals transistor. Typ av transistor: FET transistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 2mA. Max dräneringsström: TO-92

N-kanals transistor, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4pF. Kostnad): 1.6pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekttransistor. Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Grind/källa spänning (av) max.: 3.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4pF. Kostnad): 1.6pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 8V. Grind/källa spänning (av) max.: 7.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-92, AM/FM/VHF, 25V, 10mA, TO-92, 39V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): AM/FM/VHF. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 39V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF246A. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 14.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.6V. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 13mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: för VHF/UHF RF-förstärkare. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (effektförlust, max): 350W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 0.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 18mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: för VHF/UHF RF-förstärkare. IDss (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 0.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 6.5mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1.7pF. Kostnad): 0.8pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 20*. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon junction fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 2.2V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1.7pF. Kostnad): 0.8pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 21*. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 6mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon junction fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 3.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1.7pF. Kostnad): 0.8pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 22*. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon junction fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 7.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 18mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Spänning Vds(max): 18V. C(tum): 3pF. Kostnad): 1.2pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: VHF- och UHF-applikationer med 12V matningsspänning. IDss (min): 2mA. Märkning på höljet: M90. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 4mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 2.3pF. Kostnad): 0.8pF. Funktion: N MOSFET transistor. IDss (min): 2mA. Märkning på höljet: MH. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod MH

N-kanals transistor, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 15mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Spänning Vds(max): 12V. C(tum): 2.1pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: VHF- och UHF-applikationer med 12V matningsspänning. IDss (min): 5mA. Märkning på höljet: MOS. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. Kostnad): 1.1pF. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-143B, 12V, 30mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-143B. Drain-source spänning Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: BF998. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2.5pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: M2. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (max): 30nA. Resistans Rds På: 15 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 85pF. Kostnad): 20pF. Kanaltyp: N. Diod Tff (25°C): 8 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 2A. Märkning på höljet: BS107. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-92, 200V, 250mA, TO-92, 200V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 200V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BS107A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: (D-S) MOSFETs. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (max): 10nA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 24pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: BS170. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, Små signaler. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V, 0.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BS170G. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-92, 60V, 0.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BS170_D27Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 24pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.83W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C