N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 3500pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 964ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK90Z. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 88 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Hölje: TO-247. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 600V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: W13NK60Z. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 61 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 13A. Effekt: 150W. Antal terminaler: 3. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2000pF. Kostnad): 238pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: W14NK50Z. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 0.55 Ohms, TO-247, 900V. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-247. Drain-source spänning (Vds): 900V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 15A. Effekt: 350W

N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 68A. IDss (min): 10nA. Märkning på höljet: 18NM80. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 500V. Kapsling (JEDEC-standard): 30. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W20NK50Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Pd (effektförlust, max): 190W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 20A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W20NM50FD. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1380pF. Maximal förlust Ptot [W]: 214W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1450pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W20NM60. Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Vikt: 4.51g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 28N65M2. Pd (effektförlust, max): 170W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 59 ns. Td(på): 13.4 ns. Teknik: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.62 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 2400pF. Kostnad): 650pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W34NB20. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 17 ns. Td(på): 30 ns. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Switch Mode Power Supplies SMPS, DC-AC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 35A. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 255W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh II. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4300pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 43NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 255W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh II. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Lågt gate-ingångsmotstånd. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 3800pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 508 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: W45NM60. Pd (effektförlust, max): 417W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 128pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 22.4A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 2.7 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 1154pF. Kostnad): 106pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 605 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W5NK100Z. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 51.5 ns. Td(på): 22.5 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W7NK90Z. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W9NK90Z. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 15A. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Pd (effektförlust, max): 37W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 7 ns. Antal terminaler: 3. Teknik: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 30 v, 75A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SUP75N03-04. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 190 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10742pF. Maximal förlust Ptot [W]: 187W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.003 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3535pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 41 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 78W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: TrenchFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Strömförsörjning, DC/DC-omvandlare. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3FS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 430V. C(tum): 5500pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 240A. Ic(puls): 240A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 46 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Grind/sändarspänning VGE: 33V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Olika: blixt, stroboskopkontroll. Teknik: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). CE-diod: NINCS

N-kanals transistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2600pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 80A. Märkning på höljet: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: Fälteffekt POWER MOS-typ (MOSVII). Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 800pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 24A. Märkning på höljet: K6A60D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1050pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS