N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 35A. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Pd (effektförlust, max): 255W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh II

N-kanals transistor, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4300pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg ingångskapacitans och grindladdning. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 43NM60ND. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 255W. RoHS: ja. Spec info: Lågt gate-ingångsmotstånd. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh II. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 3800pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 508 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: W45NM60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 417W. RoHS: ja. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 128pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 22.4A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 2.7 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 1154pF. Kostnad): 106pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 605 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: skyddad med zenerdiode. G-S Skydd: ja. Id(imp): 14A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W5NK100Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 51.5 ns. Td(på): 22.5 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: skyddad med zenerdiode. G-S Skydd: ja. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W7NK90Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: ja. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W9NK90Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 15A. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 37W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 30 v, 75A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SUP75N03-04. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 190 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10742pF. Maximal förlust Ptot [W]: 187W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.003 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3535pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 41 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Strömförsörjning, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 78W. RoHS: ja. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: TrenchFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3FS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 430V. C(tum): 5500pF. Kostnad): 100pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Olika: blixt, stroboskopkontroll. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 240A. Ic(puls): 240A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 46 ns. Teknik: Enhancement type. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Grind/sändarspänning VGE: 33V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2600pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. Märkning på höljet: K20J50D. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: Fälteffekt POWER MOS-typ (MOSVII). Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 800pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 24A. Märkning på höljet: K6A60D. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1050pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 470pF. Kostnad): 13pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 230 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: för switchade spänningsregulatorer. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 28A. Märkning på höljet: TK7P60W. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET (DTMOSIV). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V

N-kanals transistor, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10U1B. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 30Ap. Märkning på höljet: K8A65D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVII). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v

N-kanals transistor, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 0.3A. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 240V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: 9.31k Ohms

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7150pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6435pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 47 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4456pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5022pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 56 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6870pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 78 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6253pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 20V, -6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 0.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 562pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (max): 0.47A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 1W. Teknik: V-MOS