N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 690pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 485 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK60ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: -55°C...+150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+ °C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 910pF. Kostnad): 98pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 17.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK80Z. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 17.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(tum): 910pF. Kostnad): 98pF. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET

N-kanals transistor, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1810pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 73ms. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Driftstemperatur: -65...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 60A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P60NF06L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Resistans Rds På: 12.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 33V. C(tum): 1330pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: helt skyddad. G-S Skydd: ja. Id(imp): 248A. Märkning på höljet: P62NS04Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 10V. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

N-kanals transistor, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P65NF06. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, TO-220, TO-220, 600V, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(tum): 905pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK60Z. Pd (effektförlust, max): 104W

N-kanals transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 905pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 24A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 32W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanals transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK90Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK90ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0095 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 3700pF. Kostnad): 730pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 132 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P75NF75. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 66 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMesh

N-kanals transistor, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1138pF. Kostnad): 122pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: ja. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P7NK80Z. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: Zener-Protected. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 800V, 5.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P7NK80Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1138pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". G-S Skydd: ja. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P7NK80ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. C(tum): 1138pF. Kostnad): 122pF. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns

N-kanals transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P80NF06. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -65...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 80A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P80NF10. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 26 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 116 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. C(tum): 4300pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 155 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P80NF12. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 134 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: motorstyrning, ljudförstärkare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0098 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 68V. C(tum): 2550pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 392A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 80NF70. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 700V. C(tum): 2350pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 680 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S Skydd: ja. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 30 ns. Teknik: PowerMESH™III MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1320pF. Kostnad): 143pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 24.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P8NK80ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMesh

N-kanals transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 910pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 238 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK50Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V