N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 590pF. Kostnad): 63pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 12A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 4.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 700pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 700pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 500V, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P4NK50Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 310pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Resistans Rds På: 1.76 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor

N-kanals transistor, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor

N-kanals transistor, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor

N-kanals transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 3050pF. Kostnad): 380pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NE06. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 30 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 75 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 200A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NF06. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 20 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NF06L. Pd (effektförlust, max): 95W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40ms. Td(på): 20ms. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P5NK100Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1154pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 690pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 485 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+ °C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 910pF. Kostnad): 98pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK80Z. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 1.9 Ohms, 2.7A, 4.3A, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V, TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV, 800V. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Hölje: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Drain-source spänning (Vds): 800V. Kanaltyp: N. Id(imp): 17.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 4.3A. Effekt: 110W. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1810pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 73ms. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Driftstemperatur: -65...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Kostnad): 360pF. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 60A, TO-220, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P60NF06L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Spec info: låg grindladdning, VGS(th) 1...2,5V

N-kanals transistor, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Resistans Rds På: 12.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 33V. C(tum): 1330pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: helt skyddad. Id(imp): 248A. Märkning på höljet: P62NS04Z. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 10V. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 70us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P65NF06. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 905pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK60Z. Pd (effektförlust, max): 104W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 905pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 32W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK90Z. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK90ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0095 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 75V. C(tum): 3700pF. Kostnad): 730pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 132 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P75NF75. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 66 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMesh. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1138pF. Kostnad): 122pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P7NK80Z. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal per fodral: 1. Spec info: Zener-Protected. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja