Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 9.69kr | 12.11kr |
5 - 9 | 9.21kr | 11.51kr |
10 - 24 | 8.72kr | 10.90kr |
25 - 49 | 8.24kr | 10.30kr |
50 - 99 | 8.04kr | 10.05kr |
100 - 249 | 7.85kr | 9.81kr |
250 - 1933 | 6.80kr | 8.50kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 9.69kr | 12.11kr |
5 - 9 | 9.21kr | 11.51kr |
10 - 24 | 8.72kr | 10.90kr |
25 - 49 | 8.24kr | 10.30kr |
50 - 99 | 8.04kr | 10.05kr |
100 - 249 | 7.85kr | 9.81kr |
250 - 1933 | 6.80kr | 8.50kr |
N-kanals transistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V - STQ1NK60ZR-AP. N-kanals transistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 13 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammopak. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 94pF. Kostnad): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 135 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 1NK60ZR. Pd (effektförlust, max): 3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, ESD-förbättrad kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.