N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 612 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: P11NM80. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: MDmesh MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 5200pF. Kostnad): 785pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 152 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P120NF10. Pd (effektförlust, max): 312W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 132 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50FP. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. C(tum): 460pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 56A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P14NF12. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2000pF. Kostnad): 238pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P14NK50ZFP. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 315pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P16NF06. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 7 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Exceptionell dv/dt-kapacitet, låg grindladdning. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 345pF. Kostnad): 72pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5100pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 200N4F3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: byte, bilapplikationer. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGHdv/dtCAP. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: II Power Mos. Antal per fodral: 1. obs: Low Gate Charge

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 192W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Låg portkapacitans. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FP. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh™ MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 870pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100us. Diod tröskelspänning: 1.5V. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P24NF10. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1180pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 110us. Diod tröskelspänning: 1.3V. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 115W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 690pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P36NF06. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 27 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt

N-kanals transistor, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Antal per fodral: 1. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 30A, 60.4k Ohms. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Kapsling (JEDEC-standard): 60.4k Ohms. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P36NF06L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 2.9A. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 400pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NB60. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 11 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 4.6 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10.4A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 3.5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMESH III

N-kanals transistor, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Hölje: TO-220FP. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Drain-source spänning (Vds): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 2.4A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH Power MOSFET

N-kanals transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja