N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg portkapacitans. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FD. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FP. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh™ MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 870pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100us. Diod tröskelspänning: 1.5V. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 104A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P24NF10. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Spec info: Låg inmatningsavgift. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: Låg ingångskapacitans och grindladdning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1180pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110us. Diod tröskelspänning: 1.3V. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 115W. RoHS: ja. Spec info: Låg inmatningsavgift. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 690pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P36NF06. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 27 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt. Id(imp): 72A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: STripFET II POWER MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P36NF06L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 2.9A. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 400pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 13.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NB60. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 11 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 4.6 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 10.4A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 3.5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMESH III

N-kanals transistor, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V, 1.51A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. ID (T=100°C): 1.51A. Kanaltyp: N. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A

N-kanals transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 590pF. Kostnad): 63pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S Skydd: ja. Id(imp): 12A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 4.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V

N-kanals transistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 700pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 700pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 500V, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P4NK50Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 310pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Resistans Rds På: 1.76 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Id(imp): 16A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH

N-kanals transistor, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH

N-kanals transistor, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH

N-kanals transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 3050pF. Kostnad): 380pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NE06. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 30 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 60V, TO220. Vdss (Drain to Source Voltage): 60V. Hölje: TO220. Pd (effektförlust, max): 110W. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 50A. Körspänning: 10V. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NF06L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 95W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40ms. Td(på): 20ms. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P5NK100Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1154pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C