N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2510pF. Kostnad): 175pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Germanium diod: NINCS. Produktionsdatum: 201509. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 135A. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V

N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4550pF. Kostnad): 350pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Högfrekvent drift upp till 50KHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 200A. Märkning på höljet: GW40NC60V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 260W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 43 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V

N-kanals transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: snabb effekt MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. obs: Viso 4000V. Märkning på höljet: H8NA60FI. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V

N-kanals transistor, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 150pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 4A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4NF20L. Pd (effektförlust, max): 3.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10.4 ns. Td(på): 2 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V

N-kanals transistor, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 80V. C(tum): 5955pF. Kostnad): 244pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 38 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 400A. Märkning på höljet: 100N8F6. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 176W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 103 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: STripFET™ F6 technology. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK60Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 115W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK60ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK80Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: skyddad med zenerdiode. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK80ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220FP, 800V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P10NK80ZFP. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 42.8A. IDss (min): 1uA. obs: Viso 2000VDC. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 400V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P11NK40Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 930pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 612 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: P11NM80. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: MDmesh MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 5200pF. Kostnad): 785pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 152 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 440A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P120NF10. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 312W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 132 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50FP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg ingångskapacitans och grindladdning. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 44A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. C(tum): 460pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P14NF12. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2000pF. Kostnad): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P14NK50ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 315pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Exceptionell dv/dt-kapacitet, låg grindladdning. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 64A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P16NF06. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 7 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 345pF. Kostnad): 72pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 64A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: Low Gate Charge. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5100pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: byte, bilapplikationer. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 480A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 200N4F3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGHdv/dtCAP. obs: Low Gate Charge. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: II Power Mos