N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 870pF. Kostnad): 50pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13N80K5. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 18NM60. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F5NK100Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1154pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220FP. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F9NK90Z. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. Resistans Rds På: 0.63 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 452pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 324 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: 9NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52.5 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 26A. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 610pF. Kostnad): 65pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: ljusdimmer, Statiskt relä, Motordrivrutin. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 100A. Märkning på höljet: GF10NB60SD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 1.2 ns. Td(på): 0.7 ns. Teknik: PowerMESH IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.35V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Lågt spänningsfall (VCE(sat)). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 380pF. Kostnad): 46pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Funktion: Högfrekventa motorkontroller. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 30A. Märkning på höljet: GP10NC60KD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Kortslutningsmotståndstid 10us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 225pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 44 ns. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 150A. Märkning på höljet: GW20NC60VD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 31 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: högfrekvensväxelriktare, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2510pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Produktionsdatum: 201509. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 135A. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4550pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Högfrekvent drift upp till 50KHz. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 200A. Märkning på höljet: GW40NC60V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 260W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 43 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: snabb effekt MOSFET transistor. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: H8NA60FI. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Viso 4000V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 150pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4NF20L. Pd (effektförlust, max): 3.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10.4 ns. Td(på): 2 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 80V. C(tum): 5955pF. Kostnad): 244pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 38 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 400A. Märkning på höljet: 100N8F6. Pd (effektförlust, max): 176W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 103 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: STripFET™ F6 technology. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK60Z. Pd (effektförlust, max): 115W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK80Z. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220FP, 800V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P10NK80ZFP. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Viso 2000VDC. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 400V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P11NK40Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 930pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS