N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	68.08kr	85.10kr
2 - 2	64.68kr	80.85kr
3 - 4	61.27kr	76.59kr
5 - 9	57.87kr	72.34kr
10 - 19	56.51kr	70.64kr
20 - 29	55.15kr	68.94kr
30 - 36	53.10kr	66.38kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	68.08kr	85.10kr
2 - 2	64.68kr	80.85kr
3 - 4	61.27kr	76.59kr
5 - 9	57.87kr	72.34kr
10 - 19	56.51kr	70.64kr
20 - 29	55.15kr	68.94kr
30 - 36	53.10kr	66.38kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 36

Set med 1

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD. N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2510pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Produktionsdatum: 201509. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 135A. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 12:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!