Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD

N-kanals transistor, 30A,  TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 68.08kr 85.10kr
2 - 2 64.68kr 80.85kr
3 - 4 62.63kr 78.29kr
5 - 9 61.27kr 76.59kr
10 - 19 59.91kr 74.89kr
20 - 29 57.87kr 72.34kr
30 - 33 55.83kr 69.79kr
Kvantitet U.P
1 - 1 68.08kr 85.10kr
2 - 2 64.68kr 80.85kr
3 - 4 62.63kr 78.29kr
5 - 9 61.27kr 76.59kr
10 - 19 59.91kr 74.89kr
20 - 29 57.87kr 72.34kr
30 - 33 55.83kr 69.79kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 33
Set med 1

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD. N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2510pF. Kostnad): 175pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Germanium diod: NINCS. Produktionsdatum: 201509. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 135A. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 18:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.