Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 68.08kr | 85.10kr |
2 - 2 | 64.68kr | 80.85kr |
3 - 4 | 62.63kr | 78.29kr |
5 - 9 | 61.27kr | 76.59kr |
10 - 19 | 59.91kr | 74.89kr |
20 - 29 | 57.87kr | 72.34kr |
30 - 33 | 55.83kr | 69.79kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 68.08kr | 85.10kr |
2 - 2 | 64.68kr | 80.85kr |
3 - 4 | 62.63kr | 78.29kr |
5 - 9 | 61.27kr | 76.59kr |
10 - 19 | 59.91kr | 74.89kr |
20 - 29 | 57.87kr | 72.34kr |
30 - 33 | 55.83kr | 69.79kr |
N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD. N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2510pF. Kostnad): 175pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Germanium diod: NINCS. Produktionsdatum: 201509. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 135A. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 18:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.