N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 560V. C(tum): 750pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 22.8A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 08N50C3. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.093 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 215pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt-klassat förbättringsläge. Id(imp): 37A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: SPD09N05. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 24W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 790pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 32 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 112A. Märkning på höljet: 28N03L. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 12 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: SIPMOS Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V

N-kanals transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 85m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 785pF. Kostnad): 33pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 06N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 30pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 750 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". G-S Skydd: NINCS. Produktionsdatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 07N60S5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 120ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.56 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 46pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: 08N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 104W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 10N10. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 426pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 11N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1460pF. Kostnad): 610pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 22A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: 11N60S5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 130 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanals transistor, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 11A. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Pd (effektförlust, max): 156W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos

N-kanals transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: SPP17N80C2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V

N-kanals transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2320pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 17N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 77 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): P-TO220-3-1. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 2400pF. Kostnad): 780pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 62.1A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 20N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 67 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. RoHS: ja. C(tum): 3000pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 20N60S5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 120ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 55V, 80A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N06L11. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 68 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 158W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 11N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 156W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. Hölje: TO-247. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. C(tum): 2320pF. Kostnad): 1250pF. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: ja. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 17N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 77 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 650V, 20.7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60C3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 208W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV. Drain-source spänning (Vds): 600V. Resistans Rds På: 0.19 Ohms. Hölje: PG-TO247 HV. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 20A. Effekt: 208W

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 540pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1150pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 415 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 28A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 48W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power-MOSFET (F). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P1. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C