Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 95.85kr | 119.81kr |
2 - 2 | 91.06kr | 113.83kr |
3 - 4 | 89.15kr | 111.44kr |
5 - 9 | 86.27kr | 107.84kr |
10 - 19 | 84.35kr | 105.44kr |
20 - 29 | 81.48kr | 101.85kr |
30 - 40 | 78.60kr | 98.25kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 95.85kr | 119.81kr |
2 - 2 | 91.06kr | 113.83kr |
3 - 4 | 89.15kr | 111.44kr |
5 - 9 | 86.27kr | 107.84kr |
10 - 19 | 84.35kr | 105.44kr |
20 - 29 | 81.48kr | 101.85kr |
30 - 40 | 78.60kr | 98.25kr |
N-kanals transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C3. N-kanals transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2320pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 17N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 77 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.