N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4532CDY-T1-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 305/340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.14W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4559EY. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0155 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40Ap. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4800B. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V

N-kanals transistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0074 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 2000pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: ja. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4946BEY-T1-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4946EY-T1-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263AB. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI9410BDY-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI9936BDY. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 550pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0075 Ohms. Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 985pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 14 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Högsidesbrytare". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 196k Ohms. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 29.8W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 90A, Andra, Andra, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 5000pF. Kostnad): 720pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hög effekt IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. obs: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Antal terminaler: 7. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(av): 450 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanals transistor, 330A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 23.1pF. Kostnad): 1.9pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hög effekt IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 470A. Ic(puls): 600A. Antal terminaler: 7. Mått: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 650 ns. Td(på): 330 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 107pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Funktion: Snabb S-IGBT i NPT-teknik. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 80A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 179W. RoHS: ja. Spec info: K20N60. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 445 ns. Td(på): 36ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1150pF. Kostnad): 120pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 280 ns. Funktion: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Kollektorström: 46A. Ic(puls): 84A. Märkning på höljet: K25N120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 313W. RoHS: ja. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 730 ns. Td(på): 45 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.1V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.041 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 8180pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ökad MOSFET dv/dt robusthet . G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 267A. IDss (min): 5uA. Märkning på höljet: 6R041P6. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 481W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 29 ns. Teknik: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.017...0.025 Ohms. Märkning på höljet: TB. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD)

N-kanals transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3-1. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. obs: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Märkning på höljet: 04N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31W. RoHS: ja. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 790pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. obs: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Märkning på höljet: 07N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220 (PG-TO220FP). Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 07N60C3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 790pF. Maximal förlust Ptot [W]: 32W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.56 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 46pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: 08N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds PÃ¥: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: isolerat hölje (2500VAC, 1 min). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.1uA. Märkning pÃ¥ höljet: 11N65C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Montering/installation: GenomgÃ¥ende hÃ¥lmontering pÃ¥ kretskort. Td(av): 44 ns. Td(pÃ¥): 10 ns. Teknik: Cool MOSâ„¢ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3-1. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 11N80C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 41W. Spec info: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 560V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Exceptionell dv/dt-kapacitet. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 0.1uA. obs: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Märkning på höljet: 16N50C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 34W. RoHS: ja. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 32A. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SIPMOS Power Transistor

N-kanals transistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Märkning på höljet: 56N03L. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SIPMOS Power Transistor

N-kanals transistor, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 3.4M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 4480pF. Kostnad): 1580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 195 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Förbättringsläge". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N04H4. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 46 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V