N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3. N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4532CDY-T1-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 305/340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.14W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Vishay. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 01:25.