N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 470pF. Kostnad): 13pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 230 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: för switchade spänningsregulatorer. Id(imp): 28A. Märkning på höljet: TK7P60W. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET (DTMOSIV). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10U1B. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1350pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 30Ap. Märkning på höljet: K8A65D. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVII). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 0.3A. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 240V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: 9.31k Ohms. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7150pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6435pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 47 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4456pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5022pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 56 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6870pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 78 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6253pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 20V, -6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 0.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 562pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (max): 0.47A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 1W. Teknik: V-MOS. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB10N07. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 900ns. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB14N04. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 120ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 500 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB35N07-E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 200 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 800 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB49N04. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 600 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 2400 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 75uA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 45V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. Pd (effektförlust, max): 7W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 1NV04P

N-kanals transistor, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 70V. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 125 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Helt autoskyddad kraftmofet. G-S Skydd: Zenerdiod. Id(imp): 14A. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 230 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: OMNIFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Linjär strömbegränsning

N-kanals transistor, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 70V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Helt autoskyddad kraftmofet. IDss (min): 50uA. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: OMNIFET. Maximal förlust Ptot [W]: 83W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): MOSFET. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Spänning Vds(max): 70V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNP35N07. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 200 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Används för: Ilim= 35A IR= -50A. Vin ingångsspänning (max): 18V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 70V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNP5N07-E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 107ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. obs: screentryck/SMD-kod S3NV04DP. Märkning på höljet: S3NV04DP. Pd (effektförlust, max): 4W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 450 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 650V, 38A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 193 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2940pF. Maximal förlust Ptot [W]: 277W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Resistans Rds På: 0.0055 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 100V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 130A. Effekt: 260W

N-kanals transistor, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Resistans Rds På: 0.0029 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 200A. Effekt: 260W

N-kanals transistor, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Resistans Rds På: 0.0086 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 100V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 70A. Effekt: 125W