N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 800V, 5.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P7NK80Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1138pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Hölje: TO-220FP. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Resistans Rds På: 1.8 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 800V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P7NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 5.2A. Antal terminaler: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P80NF06. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -65...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 80A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P80NF10. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 26 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 116 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. C(tum): 4300pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 155 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P80NF12. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 134 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Funktion: motorstyrning, ljudförstärkare. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0098 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 68V. C(tum): 2550pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 392A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 80NF70. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 700V. C(tum): 2350pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 680 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 30 ns. Teknik: PowerMESH™III MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220FP. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1320pF. Kostnad): 143pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P8NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMesh. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 910pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 238 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK50Z. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 910pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 238 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK50ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1110pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. IDss (min): 1us. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 600V, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P9NK60Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1100pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1110pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK90Z. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 13 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammopak. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 94pF. Kostnad): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 135 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 1NK60ZR. Pd (effektförlust, max): 3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, ESD-förbättrad kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 60V. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Antal per fodral: 2

N-kanals transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W10NK60Z. Pd (effektförlust, max): 156W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W10NK80Z. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 800V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W10NK80Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 3500pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 560 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: extremt hög dv/dt-kapacitet, Switching applications. Id(imp): 33.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK100Z. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 98 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 1 kV, 8.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W11NK100Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 98 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.82 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 3000pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 584 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK90Z. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 76 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2620pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 635 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 42A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK80Z. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja