N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 910pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 238 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK50ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1110pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. IDss (min): 1us. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 600V, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P9NK60Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1100pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1110pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 28A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK60ZFP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: ja. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK90Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 13 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammopak. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 94pF. Kostnad): 17.6pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 135 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-skyddad, ESD-förbättrad kapacitet. G-S Skydd: ja. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 1NK60ZR. Pd (effektförlust, max): 3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Funktion: 2xN-CH 60V. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: STripFET™ Power MOSFET

N-kanals transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: skyddad med zenerdiode. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W10NK60Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 156W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: skyddad med zenerdiode. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W10NK80Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 800V, 9A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W10NK80Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 3500pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 560 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: extremt hög dv/dt-kapacitet, Switching applications. G-S Skydd: ja. Id(imp): 33.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK100Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 98 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 1 kV, 8.3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W11NK100Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 98 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.82 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 3000pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 584 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. G-S Skydd: ja. Id(imp): 36.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK90Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 76 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2620pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 635 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. G-S Skydd: ja. Id(imp): 42A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK80Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 3500pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 964ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK90Z. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 88 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 40A. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: W13NK60Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 61 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(tum): 2030pF. Kostnad): 210pF. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2000pF. Kostnad): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 48A. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: W14NK50Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 900V, 0.55 Ohms, TO-247. Drain-source spänning (Vds): 900V. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje: TO-247. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 15A. Effekt: 350W

N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 10nA. Märkning på höljet: 18NM80. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W20NK50Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 20A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W20NM50FD. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1380pF. Maximal förlust Ptot [W]: 214W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1450pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W20NM60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: Låg ingångskapacitans och grindladdning. Vikt: 4.51g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: ja. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 28N65M2. Pd (effektförlust, max): 170W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 59 ns. Td(på): 13.4 ns. Teknik: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.62 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 2400pF. Kostnad): 650pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 136A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W34NB20. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Switch Mode Power Supplies SMPS, DC-AC-omvandlare. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 17 ns. Td(på): 30 ns. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v