Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E

N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 64.57kr 80.71kr
2 - 2 61.34kr 76.68kr
3 - 4 59.40kr 74.25kr
5 - 9 58.11kr 72.64kr
10 - 19 56.82kr 71.03kr
20 - 29 54.88kr 68.60kr
30+ 52.95kr 66.19kr
Kvantitet U.P
1 - 1 64.57kr 80.71kr
2 - 2 61.34kr 76.68kr
3 - 4 59.40kr 74.25kr
5 - 9 58.11kr 72.64kr
10 - 19 56.82kr 71.03kr
20 - 29 54.88kr 68.60kr
30+ 52.95kr 66.19kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E. N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3FS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 430V. C(tum): 5500pF. Kostnad): 100pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Olika: blixt, stroboskopkontroll. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 240A. Ic(puls): 240A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 46 ns. Teknik: Enhancement type. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Grind/sändarspänning VGE: 33V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 16/05/2025, 05:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.