Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 64.57kr | 80.71kr |
2 - 2 | 61.34kr | 76.68kr |
3 - 4 | 59.40kr | 74.25kr |
5 - 9 | 58.11kr | 72.64kr |
10 - 19 | 56.82kr | 71.03kr |
20 - 29 | 54.88kr | 68.60kr |
30+ | 52.95kr | 66.19kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 64.57kr | 80.71kr |
2 - 2 | 61.34kr | 76.68kr |
3 - 4 | 59.40kr | 74.25kr |
5 - 9 | 58.11kr | 72.64kr |
10 - 19 | 56.82kr | 71.03kr |
20 - 29 | 54.88kr | 68.60kr |
30+ | 52.95kr | 66.19kr |
N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E. N-kanals transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3FS. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 430V. C(tum): 5500pF. Kostnad): 100pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Olika: blixt, stroboskopkontroll. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 240A. Ic(puls): 240A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 46 ns. Teknik: Enhancement type. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Grind/sändarspänning VGE: 33V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 16/05/2025, 05:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.