Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA

N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 11.19kr 13.99kr
5 - 9 10.63kr 13.29kr
10 - 24 10.30kr 12.88kr
25 - 49 10.07kr 12.59kr
50 - 99 9.85kr 12.31kr
100 - 157 8.57kr 10.71kr
Kvantitet U.P
1 - 4 11.19kr 13.99kr
5 - 9 10.63kr 13.29kr
10 - 24 10.30kr 12.88kr
25 - 49 10.07kr 12.59kr
50 - 99 9.85kr 12.31kr
100 - 157 8.57kr 10.71kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 157
Set med 1

N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA. N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 70V. C(tum): 298pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.5 ns. Td(på): 1.9 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren Diodes Inc.. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 01:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.