Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 14.88kr | 18.60kr |
5 - 9 | 14.14kr | 17.68kr |
10 - 24 | 13.69kr | 17.11kr |
25 - 49 | 13.40kr | 16.75kr |
50 - 59 | 13.10kr | 16.38kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 14.88kr | 18.60kr |
5 - 9 | 14.14kr | 17.68kr |
10 - 24 | 13.69kr | 17.11kr |
25 - 49 | 13.40kr | 16.75kr |
50 - 59 | 13.10kr | 16.38kr |
N-kanals transistor, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v - SI4800BDY-T1-E3. N-kanals transistor, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0155 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40Ap. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4800B. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren Vishay. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 01:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.