N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 30pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 07N65C3. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 5M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2930pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 2N03L04. Pd (effektförlust, max): 188W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-251AA, 50V, 14A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251AA. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFD14N05L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 50V, 14A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F14N05. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 850pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Märkning på höljet: F3055L. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Antal per fodral: 1. Funktion: logisk nivåkontroll, ESD-skydd

N-kanals transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 900pF. Kostnad): 325pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F12N10L. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 15 ns. Driftstemperatur: -55...+155°C. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MegaFET. Pd (effektförlust, max): 53W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 11A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP3055LE. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 38W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 50. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP50N06. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 37 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2020pF. Maximal förlust Ptot [W]: 131W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 37 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 70A, TO-220, TO-220, 60V, 50. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 50. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP70N06. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 10 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Temperaturkompenserad PSPICE®-modell

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diod: ja

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kompatibilitet: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.06 ns. Td(på): 0.02 ns. Teknik: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 178W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect Power MOSFET. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30

N-kanals transistor, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 40A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor. Antal per fodral: 1. Funktion: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

N-kanals transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 360V. C(tum): 85pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 250A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. Idss (max): 115mA. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 25pF. Kostnad): 10pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Gränssnitt och omkoppling. Id(imp): 0.8A. Märkning på höljet: RKM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Silicon N-channel MOSFET. Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 2.5A. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. Hölje (enligt datablad): TSMT3. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N-Ch MOS FET. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod QY. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare

N-kanals transistor, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V. C(tum): 1830pF. Kostnad): 410pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Märkning på höljet: TB. Antal terminaler: 8. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: 4V Drive N-ch MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare, växelriktare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.0125 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 4V Drive N-ch MOSFET. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 20A, 20A, TO-247, TO-247. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Funktion: N MOSFET transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: High Speed ​​​​IGBT. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: G30N60RUFD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 550pF. Kostnad): 62pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 40A. Märkning på höljet: G10N60A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 92W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 178 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorkontroller, Inverter. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. RoHS: ja. C(tum): 1250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 3. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 52A. Märkning på höljet: G15N120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 198W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 580 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorkontroller, Inverter, SMPS. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. RoHS: ja. C(tum): 1600pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 3. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 112A. Märkning på höljet: G30N60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 291 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorkontroller, Inverter. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS