N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.1us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 80pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kompatibilitet: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.06 ns. Td(på): 0.02 ns. Teknik: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 178W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect Power MOSFET

N-kanals transistor, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 40A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor

N-kanals transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 360V. C(tum): 85pF. Kostnad): 40pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. Idss (max): 115mA. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 25pF. Kostnad): 10pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Gränssnitt och omkoppling. G-S Skydd: ja. Id(imp): 0.8A. Märkning på höljet: RKM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Silicon N-channel MOSFET. Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 2.5A. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. Hölje (enligt datablad): TSMT3. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare. Id(imp): 10A. obs: screentryck/SMD-kod QY. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N-Ch MOS FET

N-kanals transistor, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V. C(tum): 1830pF. Kostnad): 410pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare, växelriktare. G-S Skydd: ja. Id(imp): 35A. Märkning på höljet: TB. Antal terminaler: 8. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: 4V Drive N-ch MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.0125 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 4V Drive N-ch MOSFET

N-kanals transistor, 20A, 20A, TO-247, TO-247. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Antal per fodral: 1. Funktion: N MOSFET transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos

N-kanals transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 310pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: High Speed ​​​​IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: G30N60RUFD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V

N-kanals transistor, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 550pF. Kostnad): 62pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Motorkontroller, Inverter. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 40A. Märkning på höljet: G10N60A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 92W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 178 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: GP15N120. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Collector Current IC [A]: 30A. Maximal kollektorström (A): 52A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 24 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 750 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 198W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. RoHS: ja. C(tum): 1600pF. Kostnad): 150pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Motorkontroller, Inverter. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 112A. Märkning på höljet: G30N60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 291 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P4. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 235pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L6. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 305pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.66W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4410BDY. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (max): 13.5A. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 50A. Märkning på höljet: 4420AP. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET

N-kanals transistor, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 17m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 12V. C(tum): 12350pF. Kostnad): 2775pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 84 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 70A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 240 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

N-kanals transistor, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 20uA. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 80V. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 12.5 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 20uA. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 80V. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40Ap. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 12.5 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4532ADY-T1-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.13W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C