N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 1mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. obs: screentryck/SMD-kod 62P. Märkning på höljet: 62 P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.2mA. RoHS: ja. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 40V

N-kanals transistor, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 30mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: VHF/UHF-förstärkare, oscillator och mixer. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. obs: screentryck/SMD-kod 6U. Märkning på höljet: 6U. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12mA. RoHS: ja. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C

N-kanals transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 60mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: VHF/UHF-förstärkare, oscillator och mixer. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. obs: screentryck/SMD-kod 6T. Märkning på höljet: 6T. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6T. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 890pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 375 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PFC-strömförsörjningssteg, switchade applikationer, motorstyrning, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 33A. Märkning på höljet: 60R360P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: N-channel POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, SOT-23, PCB-lödning (SMD), TO-236AB, 50V, 0.22A. Hölje: SOT-23. Hölje: PCB-lödning (SMD). Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: JD. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W

N-kanals transistor, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 410pF. Kostnad): 114pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 45A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Spec info: Logisk nivå grindad transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AE, 100V, 45A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AE. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTW45N10E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264, 100V, 100A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTY100N10E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 96 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 372 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Field Effect Power MOSFET

N-kanals transistor, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 100A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect Power MOSFET

N-kanals transistor, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 75A. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 2960pF. Kostnad): 1130pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDS355AN_NL. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 195pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xV-MOS

N-kanals transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 4.1m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): MP-25ZP. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 6400pF. Kostnad): 465pF. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 900. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 328A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 82N055. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 142W. RoHS: ja. Spec info: MOSFET transistor. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 72 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET transistor. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.039 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 707pF. Kostnad): 224pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 20N6LG. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 9.6 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N06LG. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 990pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.084 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. obs: screentryck/SMD-kod 55094G. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.122 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 27A/10us. Id(imp): 27A. obs: screentryck/SMD-kod 3150G. Pd (effektförlust, max): 29W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.089 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå, ID-puls 45A/10us. Id(imp): 45A. obs: 55L104G. Pd (effektförlust, max): 48W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 55L104G. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 55L104G. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 3.4M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4490pF. Kostnad): 952pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 34 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 230A. IDss (min): 1uA. obs: screentryck/SMD-kod 4804NG. Märkning på höljet: 4804NG. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 107W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 230A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanals transistor, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): TSOP-6. Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 510pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Applikationer för litiumjonbatterier, bärbar dator. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 446. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V

N-kanals transistor, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 4416pF. Kostnad): 296pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-omvandlare, Boost-inverterare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 472A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 503W. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V