N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (max): 1.4A. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: 0505-111646. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD 5p.. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod QU

N-kanals transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 430 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 49W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 76 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1650pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 355 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 49.6W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 132 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 780pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 272 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: +55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1160pF. Kostnad): 134pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 360ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: MDF9N60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 6uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 62V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Bilelektronik. IDss (min): 0.6uA. Märkning på höljet: L2N06CL. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 5us. Td(på): 1us. Teknik: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MMBF170. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 40pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6K. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 9mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 4.5pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 61 S. Pd (effektförlust, max): 2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 3.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 7V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 61S. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 1mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Märkning på höljet: 62 P. Pd (effektförlust, max): 0.2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 40V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 62P. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 30mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: VHF/UHF-förstärkare, oscillator och mixer. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 6U. Pd (effektförlust, max): 12mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 6U. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 60mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: VHF/UHF-förstärkare, oscillator och mixer. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 6T. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 6T. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6T. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 890pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 375 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PFC-strömförsörjningssteg, switchade applikationer, motorstyrning, DC/DC-omvandlare. Id(imp): 33A. Märkning på höljet: 60R360P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: N-channel POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.22A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: JD. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 410pF. Kostnad): 114pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 55.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Logisk nivå grindad transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AE, 100V, 45A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AE. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTW45N10E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264, 100V, 100A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTY100N10E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 96 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 372 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Field Effect Power MOSFET. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 100A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect Power MOSFET. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 75A. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 2960pF. Kostnad): 1130pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDS355AN_NL. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 195pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xV-MOS. Antal per fodral: 2

N-kanals transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 4.1m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): MP-25ZP. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 6400pF. Kostnad): 465pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 82N055. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 142W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 72 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET transistor. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 900. Spec info: MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS