N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. Idss (max): 2uA. Resistans Rds På: 17m Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 9100pF. Kostnad): 2200pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. Id(imp): 480A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 400W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 1.5mA. Resistans Rds På: 13m Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 7000pF. Kostnad): 2250pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. Id(imp): 380A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 7600pF. Kostnad): 2900pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 utan fästhål), 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.24 Ohms. Hölje: PLUS247. Hölje (enligt datablad): PLUS-247 (TO247 utan fästhål). Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 7500pF. Kostnad): 920pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 560W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 80A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 15 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. obs: HiPerFAST IGBT transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorström: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. CE-diod: ja

N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1960pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 25 ns. Funktion: High Speed ​​​​PT IGBT för 40-100kHz switching. Kollektorström: 56A. Ic(puls): 230A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 92 ns. Td(på): 19 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Spec info: Elektriskt isolerad baksida. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3900pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 300A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 18 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. obs: HiPerFAST IGBT transistor. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2113pF. Kostnad): 197pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: IGBT med ultrasnabb mjuk återställningsdiod. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 260A. Pd (effektförlust, max): 268W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 127 ns. Td(på): 43 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. obs: isolering 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minut). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.092 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHTTM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 500V, 24A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXTH24N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 80 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 1 kV, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXTH5N100A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 24m Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4800pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 160 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 92m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 92 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 4000pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.066 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2500pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 176W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchMVTM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2770pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchT2TM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 92m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 24A, 200uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V, 270 milliOhms. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 200uA. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Resistans Rds På: 270 milliOhms. C(tum): 2890pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 480W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PolarP2TM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 40m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 6300pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Resistans Rds På: 8 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 160pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 5 ns. Td(på): 6 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 0.7V. Grind/källa spänning (av) max.: 4.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 30 Ohms, 35V. Resistans Rds På: 30 Ohms. Spänning Vds(max): 35V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 0.35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Grind/källa spänning (av) max.: 10V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (max): 5mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 Ammo-Pak. Spänning Vds(max): 35V. C(tum): 28pF. Kostnad): 5pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/källa spänning (av) max.: 5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Resistans Rds På: 100 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 35V. C(tum): 28pF. Kostnad): 5pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 35V. Grind/källa spänning (av) max.: 3V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: 60T65PES. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 535W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 142ns. Td(på): 45 ns. Teknik: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS