N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.092 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHTTM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 500V, 24A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXTH24N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 80 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 1 kV, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXTH5N100A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 24m Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 4800pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 160 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 225A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanals transistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 92m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 92 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 4000pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 130A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.066 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2500pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 176W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchMVTM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2770pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchT2TM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 92m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 270 milliOhms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2890pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 480W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PolarP2TM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanals transistor, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 40m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 6300pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanals transistor, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Resistans Rds På: 8 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 160pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 5 ns. Td(på): 6 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 0.7V. Grind/källa spänning (av) max.: 4.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.5V

N-kanals transistor, 30 Ohms, 35V. Resistans Rds På: 30 Ohms. Spänning Vds(max): 35V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 0.35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Grind/källa spänning (av) max.: 10V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V

N-kanals transistor, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (max): 5mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 Ammo-Pak. Spänning Vds(max): 35V. C(tum): 28pF. Kostnad): 5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/källa spänning (av) max.: 5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V

N-kanals transistor, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Resistans Rds På: 100 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 35V. C(tum): 28pF. Kostnad): 5pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 35V. Grind/källa spänning (av) max.: 3V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.5V

N-kanals transistor, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (max): 1.4A. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: 0505-111646. obs: screentryck/SMD-kod QU. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD 5p.

N-kanals transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 184pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Trr-diod (Min.): 430 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 49W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 76 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 1650pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Trr-diod (Min.): 355 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 49.6W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 132 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 780pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 272 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: +55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1160pF. Kostnad): 134pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Trr-diod (Min.): 360ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: MDF9N60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 6uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 62V. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Bilelektronik. G-S Skydd: ja. IDss (min): 0.6uA. Märkning på höljet: L2N06CL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: MOSFET HYBRID. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 5us. Td(på): 1us. Teknik: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MMBF170. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 40pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6Z. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6K. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 9mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 4.5pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Funktion: Uni sym. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. obs: screentryck/SMD-kod 61S. Märkning på höljet: 61 S. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 3.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 7V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V