Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 94.30kr | 117.88kr |
2 - 2 | 89.58kr | 111.98kr |
3 - 4 | 87.70kr | 109.63kr |
5 - 9 | 84.87kr | 106.09kr |
10 - 19 | 82.98kr | 103.73kr |
20 - 29 | 80.15kr | 100.19kr |
30 - 38 | 77.32kr | 96.65kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 94.30kr | 117.88kr |
2 - 2 | 89.58kr | 111.98kr |
3 - 4 | 87.70kr | 109.63kr |
5 - 9 | 84.87kr | 106.09kr |
10 - 19 | 82.98kr | 103.73kr |
20 - 29 | 80.15kr | 100.19kr |
30 - 38 | 77.32kr | 96.65kr |
N-kanals transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - IXTQ460P2. N-kanals transistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 270 milliOhms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2890pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 480W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PolarP2TM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren IXYS. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 11:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.