IXTP36N30P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	73.59kr	91.99kr
2 - 2	69.91kr	87.39kr
3 - 4	66.23kr	82.79kr
5 - 9	62.55kr	78.19kr
10 - 19	61.08kr	76.35kr
20 - 29	59.61kr	74.51kr
30 - 110	57.40kr	71.75kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	73.59kr	91.99kr
2 - 2	69.91kr	87.39kr
3 - 4	66.23kr	82.79kr
5 - 9	62.55kr	78.19kr
10 - 19	61.08kr	76.35kr
20 - 29	59.61kr	74.51kr
30 - 110	57.40kr	71.75kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 110

Set med 1

IXTP36N30P. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 92m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation