Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 94.50kr | 118.13kr |
2 - 2 | 89.78kr | 112.23kr |
3 - 4 | 85.05kr | 106.31kr |
5 - 9 | 80.33kr | 100.41kr |
10 - 13 | 78.44kr | 98.05kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 94.50kr | 118.13kr |
2 - 2 | 89.78kr | 112.23kr |
3 - 4 | 85.05kr | 106.31kr |
5 - 9 | 80.33kr | 100.41kr |
10 - 13 | 78.44kr | 98.05kr |
IXTQ36N30P. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 92m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.