N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 530pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 6.9ns. Td(på): 7.4 ns. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL2703. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 530pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL2703. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 530pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 55V, 3.8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL2705. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 870pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 20V, 1.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 2.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 110pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 740pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 54 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 54 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 85pF. Kostnad): 34pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 540mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 9 ns. Td(på): 3.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: B. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 85pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 85pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 5V. C(tum): 480pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR024NPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 55V, DPAK. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: DPAK. Produktserie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 17A. Port-/källspänning Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Grind/källa spänning Vgs max: -16V. Max: 45W. Monteringstyp: SMD

N-kanals transistor, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.185 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 440pF. Kostnad): 97pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 35A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR120NTRPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23 ns. Td(på): 4 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 880pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 75. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Logic-Level Gate Drive, snabb växling. Spec info: lågt motstånd R-on 0,040 Ohm. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.027 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLR2905PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 11m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1570pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 22ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 240A. IDss (min): 20uA. Ekvivalenta: IRLR2905ZTRPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.105 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3980pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 34-51 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR3110ZPbF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.105 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 800pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LR3410. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 97W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2900pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 21ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 360A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 33 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2.6m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4380pF. Kostnad): 940pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2000. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 39 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: LR7843. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 34 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Funktion: Mycket låg RDS(på) vid 4,5V VGS, ultralåg grindimpedans. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 6.3m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1030pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 260A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 9.4 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Ultralåg grindimpedans. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS