N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 85pF. Kostnad): 34pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 7.3A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 540mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 9 ns. Td(på): 3.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: B. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 85pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 85pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 5V. C(tum): 480pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR024NPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.185 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 440pF. Kostnad): 97pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 35A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR120NTRPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23 ns. Td(på): 4 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 880pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 75. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic-Level Gate Drive, snabb växling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Spec info: lågt motstånd R-on 0,040 Ohm. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.027 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2000. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLR2905PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 11m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1570pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 22ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 20uA. Ekvivalenta: IRLR2905ZTRPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.105 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3980pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 34-51 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 250A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR3110ZPbF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.105 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 800pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LR3410. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 97W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2900pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 21ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 360A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 33 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2.6m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4380pF. Kostnad): 940pF. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2000. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 39 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket låg RDS(på) vid 4,5V VGS, ultralåg grindimpedans. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: LR7843. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 34 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanals transistor, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 6.3m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1030pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket låg RDS på resistens vid 4,5 V VGS. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 260A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Ultralåg grindimpedans. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 9.4 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 4m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2150pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket låg RDS på resistens vid 4,5 V VGS. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Ekvivalenta: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Ultralåg grindimpedans. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-kanals transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4880pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 18 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 135W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-kanals transistor, 55V, IPAK. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: IPAK. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 17A. Grind/källa spänning Vgs max: -16V. Monteringstyp: SMD. Serie: HEXFET. Pd (effektförlust, max): 45W

N-kanals transistor, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 480pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 47W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 55V, TO220AB. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: TO220AB. Serie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 18A. Pd (effektförlust, max): 45W. Monteringstyp: THT

N-kanals transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 880pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 55V, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLZ34NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 880pF. Maximal förlust Ptot [W]: 68W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 55V, 0.022 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 55V. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Hölje: TO-220AB. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Kontrollera: Logisk nivå. Max dräneringsström: 41A. Effekt: 83W