N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 390V. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 46A. Märkning på höljet: V5036P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10.8 ns. Td(på): 7 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Grind/sändarspänning VGE: 10V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V

N-kanals transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6600pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 800V, 13A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH13N80. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 63 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 500V, 26A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH26N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4700pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 104A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanals transistor, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 5700pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 128A. IDss (min): 200uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 200V, 58A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH58N20. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 300V, 140A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK140N30P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 14000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.24 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 7500pF. Kostnad): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 136A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 560W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 8400pF. Kostnad): 900pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 176A. IDss (min): 400uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 800V, 44A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK44N80P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 12000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 500V. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(tum): 8400pF. Kostnad): 900pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 192A. IDss (min): 400uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 600V, 48A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK48N60P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 85 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 8860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 830W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 500V, 64A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK64N50P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 85 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 830W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 600V, 64A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK64N60P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 79 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 12000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Hölje: SOT-227B (ISOTOP). Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: GigaMOS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 48 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 80 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 41000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 940W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. Idss (max): 2uA. Resistans Rds På: 17m Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 9100pF. Kostnad): 2200pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 480A. IDss (min): 100uA. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 400W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 1.5mA. Resistans Rds På: 13m Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 7000pF. Kostnad): 2250pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 25uA. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanals transistor, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 7600pF. Kostnad): 2900pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 utan fästhål), 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.24 Ohms. Hölje: PLUS247. Hölje (enligt datablad): PLUS-247 (TO247 utan fästhål). Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 7500pF. Kostnad): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 136A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 560W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 170pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 80A. obs: HiPerFAST IGBT transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 15 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V

N-kanals transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 270pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorström: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1960pF. Kostnad): 220pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 25 ns. Funktion: High Speed ​​​​PT IGBT för 40-100kHz switching. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 56A. Ic(puls): 230A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Elektriskt isolerad baksida. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 92 ns. Td(på): 19 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3900pF. Kostnad): 280pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 300A. obs: HiPerFAST IGBT transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 18 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2113pF. Kostnad): 197pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: IGBT med ultrasnabb mjuk återställningsdiod. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 260A. obs: isolering 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minut). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 268W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 127 ns. Td(på): 43 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V