N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 4m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2150pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Ekvivalenta: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Ultralåg grindimpedans. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4880pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 18 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 640A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 135W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 55V, IPAK. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: IPAK. Produktserie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 17A. Port-/källspänning Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Grind/källa spänning Vgs max: -16V. Max: 45W. Monteringstyp: SMD

N-kanals transistor, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 480pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 47W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 55V, 18A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLZ24NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 480pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 880pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Kapsling (JEDEC-standard): 30A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLZ34NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 880pF. Maximal förlust Ptot [W]: 68W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.022 Ohms, TO-220AB, 55V. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 55V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 41A. Effekt: 83W

N-kanals transistor, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 390V. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 46A. Märkning på höljet: V5036P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10.8 ns. Td(på): 7 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Grind/sändarspänning VGE: 10V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. CE-diod: NINCS

N-kanals transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6600pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 800V, 13A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH13N80. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 63 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 500V, 26A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH26N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4700pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 5700pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. IDss (min): 200uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247AD, 200V, 58A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH58N20. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 300V, 140A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK140N30P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 14000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.24 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 7500pF. Kostnad): 920pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 560W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 8400pF. Kostnad): 900pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. IDss (min): 400uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1.5mA. Resistans Rds På: 0.19 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 800V. RoHS: ja. C(tum): 12pF. Kostnad): 910pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Kapsling (JEDEC-standard): 25. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 500V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK48N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 8400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 500W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 600V, 48A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK48N60P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 85 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 8860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 830W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 85m Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 500V. RoHS: ja. C(tum): 7900pF. Kostnad): 790pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 830W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-264AA, 600V, 64A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK64N60P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 79 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 12000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Hölje: SOT-227B (ISOTOP). Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: GigaMOS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 48 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 80 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 41000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 940W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C