N-kanals transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	200.79kr	250.99kr
2 - 2	190.75kr	238.44kr
3 - 4	186.73kr	233.41kr
5 - 9	180.71kr	225.89kr
10 - 14	176.69kr	220.86kr
15 - 19	170.67kr	213.34kr
20 - 23	164.65kr	205.81kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	200.79kr	250.99kr
2 - 2	190.75kr	238.44kr
3 - 4	186.73kr	233.41kr
5 - 9	180.71kr	225.89kr
10 - 14	176.69kr	220.86kr
15 - 19	170.67kr	213.34kr
20 - 23	164.65kr	205.81kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 23

Set med 1

N-kanals transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1. N-kanals transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 270pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorström: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren IXYS. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 11:25.

Teknisk dokumentation

N-kanals transistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH32N60BU1

Vi rekommenderar även :

Kylflänsar

Monteringstillbehör för transistorer

Termiskt fett

Vi rekommenderar även :