N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.039 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 707pF. Kostnad): 224pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 20N6LG. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 9.6 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N06LG. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 990pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.084 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 45A/10us. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 55094G

N-kanals transistor, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.122 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Pd (effektförlust, max): 29W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 27A/10us. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 3150G

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.089 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (effektförlust, max): 48W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET. obs: 55L104G. Funktion: logisk nivå, ID-puls 45A/10us. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.089 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 316pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 9.2 ns. Teknik: Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: logisk nivå, ID-puls 45A/10us. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 55L104G. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 55L104G. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 3.4M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4490pF. Kostnad): 952pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 34 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4804NG. Pd (effektförlust, max): 107W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.1A, 25uA, TSOP, TSOP-6, 20V, 0.036 Ohms. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 25uA. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): TSOP-6. Spänning Vds(max): 20V. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. C(tum): 510pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 446. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Antal terminaler: 6. Funktion: Applikationer för litiumjonbatterier, bärbar dator. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 4416pF. Kostnad): 296pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 503W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Teknik: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Funktion: UPS, DC/DC-omvandlare, Boost-inverterare. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. Märkning på höljet: 4744N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 47W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 108A/10ms. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4744N

N-kanals transistor, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (max): 191A. Resistans Rds På: 1.3M Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. Märkning på höljet: 4833N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 114W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 288A/10ms. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4833N

N-kanals transistor, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Resistans Rds På: 2.9m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. Märkning på höljet: 4835N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 63W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 208A/10ms. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4835N

N-kanals transistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 790pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättring av logisk nivå. Id(imp): 40A. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.8 ns. Td(på): 2.2 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms. ID (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (max): 30A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. C(tum): 860pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (max): 50A. Resistans Rds På: 5.1M Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-263 (D2PAK). C(tum): 2780pF. Kostnad): 641pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 34 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Pd (effektförlust, max): 59.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (max): 50A. Resistans Rds På: 15m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 150A. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (max): 75A. Resistans Rds På: 5M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 170A. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 920pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. Id(imp): 180A. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 86W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: TrenchMOS transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 45A. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. Id(imp): 180A. Pd (effektförlust, max): 86W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: TrenchMOS transistor. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 8.7A. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 88W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS SOT78

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: PMV213SN. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 13.9m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK (SOT404). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3195pF. Kostnad): 221pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: standardväxling. Id(imp): 272A. IDss (min): 0.06uA. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52.5 ns. Td(på): 20.7 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 4900pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 240A. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 36A, 50A, 500uA, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V, 30 milliOhms. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spänning Vds(max): 150V. Resistans Rds På: 30 milliOhms. C(tum): 4720pF. Kostnad): 456pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 118 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 200A. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 79 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). G-S Skydd: NINCS