N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 108A/10ms. Id(imp): 108A. obs: screentryck/SMD-kod 4744N. Märkning på höljet: 4744N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 47W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (max): 191A. Resistans Rds På: 1.3M Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. obs: screentryck/SMD-kod 4833N. Märkning på höljet: 4833N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 114W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Resistans Rds På: 2.9m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 208A/10ms. Id(imp): 208A. obs: screentryck/SMD-kod 4835N. Märkning på höljet: 4835N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 63W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 790pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättring av logisk nivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.8 ns. Td(på): 2.2 ns. Teknik: Fälteffekttransistor

N-kanals transistor, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. ID (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (max): 30A. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. C(tum): 860pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Fälteffekttransistor

N-kanals transistor, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (max): 50A. Resistans Rds På: 5.1M Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-263 (D2PAK). C(tum): 2780pF. Kostnad): 641pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 34 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 59.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Fälteffekttransistor

N-kanals transistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (max): 50A. Resistans Rds På: 15m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 150A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Fälteffekttransistor

N-kanals transistor, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (max): 75A. Resistans Rds På: 5M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 170A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Fälteffekttransistor

N-kanals transistor, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 920pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 0.05uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 86W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: TrenchMOS transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 45A. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. Id(imp): 180A. Pd (effektförlust, max): 86W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: TrenchMOS transistor

N-kanals transistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 8.7A. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 88W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS SOT78

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: PMV213SN. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 13.9m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK (SOT404). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3195pF. Kostnad): 221pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: standardväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 272A. IDss (min): 0.06uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52.5 ns. Td(på): 20.7 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 4900pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 0.05uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 30 milliOhms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 4720pF. Kostnad): 456pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 118 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 200A. IDss (min): 0.05uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 79 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 30pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 07N65C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanals transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 5M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2930pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 2N03L04. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 188W. RoHS: ja. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-251AA, 50V, 14A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251AA. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFD14N05L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, 50V, 14A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F14N05. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 850pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivåkontroll, ESD-skydd. G-S Skydd: diod. Märkning på höljet: F3055L. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET

N-kanals transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 900pF. Kostnad): 325pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F12N10L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+155°C. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MegaFET. Pd (effektförlust, max): 53W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 11A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP3055LE. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 38W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP50N06. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 37 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2020pF. Maximal förlust Ptot [W]: 131W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 60V, 70A, 50, TO-220, TO-220, 60V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Kapsling (JEDEC-standard): 50. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP70N06. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Spec info: Temperaturkompenserad PSPICE®-modell. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V