Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 15.82kr | 19.78kr |
5 - 9 | 15.03kr | 18.79kr |
10 - 24 | 14.55kr | 18.19kr |
25 - 49 | 14.23kr | 17.79kr |
50 - 70 | 13.92kr | 17.40kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 15.82kr | 19.78kr |
5 - 9 | 15.03kr | 18.79kr |
10 - 24 | 14.55kr | 18.19kr |
25 - 49 | 14.23kr | 17.79kr |
50 - 70 | 13.92kr | 17.40kr |
N-kanals transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L. N-kanals transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 900pF. Kostnad): 325pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F12N10L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+155°C. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 14:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.