N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0. N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 80pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kompatibilitet: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.06 ns. Td(på): 0.02 ns. Teknik: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Renesas Technology. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 14:25.