N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 3000pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 40A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 20N60S5. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 120ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 55V, 80A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N06L11. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 68 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 158W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N60C3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 11N80C3. Pd (effektförlust, max): 156W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2320pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 17N80C3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 77 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 650V, 20.7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60C3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 208W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV, 600V. Resistans Rds På: 0.19 Ohms. Hölje: PG-TO247 HV. Drain-source spänning (Vds): 600V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 20A. Effekt: 208W

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 540pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1150pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 415 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 28A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 48W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power-MOSFET (F). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P1. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 3.5m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 650pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 120N4F6. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: STripFET™ VI Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Funktion: Byte av applikationer, Automotive. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 940pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 340 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: B12NM50N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 60 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 850pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 122 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: B12NM50ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: FDmesh™ II Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (med snabb diod). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.115 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 470pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D10NF10. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Låg grindladdning STRipFET™ II Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.53 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 540pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 10NM60N. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ). Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 790pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 75. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2000. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (max): 3A. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 310pF. Kostnad): 49pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Märkning på höljet: D4NK50Z. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (max): 4A. Resistans Rds På: 1.76 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 510pF. Kostnad): 47pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Märkning på höljet: D4NK60Z. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-3. Spänning Vds(max): 525V. C(tum): 545pF. Kostnad): 45pF. Kanaltyp: N. Antal kanaler: 1. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. IDss (min): 5uA. Märkning på höljet: 5N52K3. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Växla applikationer, grindladdning minimerad, låg IDSS. Spec info: Enhancement type. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.25 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-3. Spänning Vds(max): 525V. C(tum): 529pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Antal kanaler: 1. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 5N52U. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23.1 ns. Td(på): 11.4 ns. Teknik: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Byte av applikationer, portladdning minimerad. Spec info: Enhancement type. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.84 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 600V. Kostnad): 24.6pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 213 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 7NM60N. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. C(tum): 363pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Pd (effektförlust, max): 460W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Elektrisk isolering: 2500V (AC-RMS). Td(på): 46 ns. Teknik: PowerMesh II MOSFET. Tf (typ): 38 ns. Tr: 70 ns. Driftstemperatur: -65...150°C. Port-/källspänning Vgs: ±30V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja

N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS