Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF9NM60N

N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF9NM60N
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 38.71kr 48.39kr
5 - 9 36.78kr 45.98kr
10 - 24 35.62kr 44.53kr
25 - 49 34.84kr 43.55kr
50 - 99 34.07kr 42.59kr
100 - 193 32.91kr 41.14kr
Kvantitet U.P
1 - 4 38.71kr 48.39kr
5 - 9 36.78kr 45.98kr
10 - 24 35.62kr 44.53kr
25 - 49 34.84kr 43.55kr
50 - 99 34.07kr 42.59kr
100 - 193 32.91kr 41.14kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 193
Set med 1

N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF9NM60N. N-kanals transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. Resistans Rds På: 0.63 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 452pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 324 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg ingångskapacitans och grindladdning. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 26A. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: 9NM60N. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 26A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52.5 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 18:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.