Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 15.48kr | 19.35kr |
5 - 9 | 14.71kr | 18.39kr |
10 - 24 | 14.25kr | 17.81kr |
25 - 49 | 13.94kr | 17.43kr |
50 - 99 | 13.63kr | 17.04kr |
100 - 249 | 13.16kr | 16.45kr |
250 - 1134 | 12.70kr | 15.88kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 15.48kr | 19.35kr |
5 - 9 | 14.71kr | 18.39kr |
10 - 24 | 14.25kr | 17.81kr |
25 - 49 | 13.94kr | 17.43kr |
50 - 99 | 13.63kr | 17.04kr |
100 - 249 | 13.16kr | 16.45kr |
250 - 1134 | 12.70kr | 15.88kr |
N-kanals transistor, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V - STD4NK50ZT4. N-kanals transistor, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (max): 3A. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 310pF. Kostnad): 49pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. Id(imp): 12A. Märkning på höljet: D4NK50Z. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 18:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.