Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N

N-kanals transistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 28.47kr 35.59kr
5 - 9 27.05kr 33.81kr
10 - 24 25.62kr 32.03kr
25 - 36 24.20kr 30.25kr
Kvantitet U.P
1 - 4 28.47kr 35.59kr
5 - 9 27.05kr 33.81kr
10 - 24 25.62kr 32.03kr
25 - 36 24.20kr 30.25kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 36
Set med 1

N-kanals transistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N. N-kanals transistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 12:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.