Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 83.84kr | 104.80kr |
2 - 2 | 79.65kr | 99.56kr |
3 - 4 | 77.13kr | 96.41kr |
5 - 9 | 75.46kr | 94.33kr |
10 - 19 | 73.78kr | 92.23kr |
20 - 29 | 71.27kr | 89.09kr |
30 - 36 | 68.75kr | 85.94kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 83.84kr | 104.80kr |
2 - 2 | 79.65kr | 99.56kr |
3 - 4 | 77.13kr | 96.41kr |
5 - 9 | 75.46kr | 94.33kr |
10 - 19 | 73.78kr | 92.23kr |
20 - 29 | 71.27kr | 89.09kr |
30 - 36 | 68.75kr | 85.94kr |
N-kanals transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5. N-kanals transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. RoHS: ja. C(tum): 3000pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 20N60S5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 120ns. Teknik: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 11:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.