Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 9.22kr | 11.53kr |
5 - 9 | 8.76kr | 10.95kr |
10 - 24 | 8.30kr | 10.38kr |
25 - 49 | 7.84kr | 9.80kr |
50 - 99 | 7.65kr | 9.56kr |
100 - 213 | 7.50kr | 9.38kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 9.22kr | 11.53kr |
5 - 9 | 8.76kr | 10.95kr |
10 - 24 | 8.30kr | 10.38kr |
25 - 49 | 7.84kr | 9.80kr |
50 - 99 | 7.65kr | 9.56kr |
100 - 213 | 7.50kr | 9.38kr |
IRFR5305. C(tum): 1200pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 71ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: IRFR5305. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET ® Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 14:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.