Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 214.22kr | 267.78kr |
2 - 2 | 203.51kr | 254.39kr |
3 - 4 | 199.23kr | 249.04kr |
5 - 9 | 192.80kr | 241.00kr |
10 - 14 | 188.52kr | 235.65kr |
15 - 19 | 182.09kr | 227.61kr |
20 - 20 | 175.66kr | 219.58kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 214.22kr | 267.78kr |
2 - 2 | 203.51kr | 254.39kr |
3 - 4 | 199.23kr | 249.04kr |
5 - 9 | 192.80kr | 241.00kr |
10 - 14 | 188.52kr | 235.65kr |
15 - 19 | 182.09kr | 227.61kr |
20 - 20 | 175.66kr | 219.58kr |
N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V - STGW40NC60V. N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4550pF. Kostnad): 350pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Högfrekvent drift upp till 50KHz. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 200A. Märkning på höljet: GW40NC60V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 260W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 43 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 18:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.