IKW40N120H3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	177.89kr	222.36kr
2 - 2	169.00kr	211.25kr
3 - 4	160.10kr	200.13kr
5 - 9	151.21kr	189.01kr
10 - 14	147.65kr	184.56kr
15 - 19	144.09kr	180.11kr
20 - 38	138.75kr	173.44kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	177.89kr	222.36kr
2 - 2	169.00kr	211.25kr
3 - 4	160.10kr	200.13kr
5 - 9	151.21kr	189.01kr
10 - 14	147.65kr	184.56kr
15 - 19	144.09kr	180.11kr
20 - 38	138.75kr	173.44kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 38

Set med 1

IKW40N120H3. C(tum): 2330pF. Kostnad): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Märkning på höljet: K40H1203. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 483W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 290 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247N. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!