Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3

N-kanals transistor, 40A,  TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 177.89kr 222.36kr
2 - 2 169.00kr 211.25kr
3 - 4 160.10kr 200.13kr
5 - 9 151.21kr 189.01kr
10 - 14 147.65kr 184.56kr
15 - 19 144.09kr 180.11kr
20 - 38 138.75kr 173.44kr
Kvantitet U.P
1 - 1 177.89kr 222.36kr
2 - 2 169.00kr 211.25kr
3 - 4 160.10kr 200.13kr
5 - 9 151.21kr 189.01kr
10 - 14 147.65kr 184.56kr
15 - 19 144.09kr 180.11kr
20 - 38 138.75kr 173.44kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 38
Set med 1

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3. N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2330pF. Kostnad): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: K40H1203. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 483W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 290 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 20:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.