Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 41.93kr | 52.41kr |
5 - 9 | 39.83kr | 49.79kr |
10 - 24 | 37.74kr | 47.18kr |
25 - 47 | 35.64kr | 44.55kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 41.93kr | 52.41kr |
5 - 9 | 39.83kr | 49.79kr |
10 - 24 | 37.74kr | 47.18kr |
25 - 47 | 35.64kr | 44.55kr |
N-kanals transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V - STP12NM50. N-kanals transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 550V. C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 12:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.