Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 76.00kr | 95.00kr |
2 - 2 | 72.20kr | 90.25kr |
3 - 4 | 69.92kr | 87.40kr |
5 - 9 | 68.40kr | 85.50kr |
10 - 19 | 66.88kr | 83.60kr |
20 - 29 | 64.60kr | 80.75kr |
30+ | 62.32kr | 77.90kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 76.00kr | 95.00kr |
2 - 2 | 72.20kr | 90.25kr |
3 - 4 | 69.92kr | 87.40kr |
5 - 9 | 68.40kr | 85.50kr |
10 - 19 | 66.88kr | 83.60kr |
20 - 29 | 64.60kr | 80.75kr |
30+ | 62.32kr | 77.90kr |
N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80. N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 10nA. Märkning på höljet: 18NM80. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.