Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80

N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms,  TO-247,  TO-247, 800V - STW18NM80
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 76.00kr 95.00kr
2 - 2 72.20kr 90.25kr
3 - 4 69.92kr 87.40kr
5 - 9 68.40kr 85.50kr
10 - 19 66.88kr 83.60kr
20 - 29 64.60kr 80.75kr
30+ 62.32kr 77.90kr
Kvantitet U.P
1 - 1 76.00kr 95.00kr
2 - 2 72.20kr 90.25kr
3 - 4 69.92kr 87.40kr
5 - 9 68.40kr 85.50kr
10 - 19 66.88kr 83.60kr
20 - 29 64.60kr 80.75kr
30+ 62.32kr 77.90kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80. N-kanals transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 10nA. Märkning på höljet: 18NM80. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 06:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.