Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 90.72kr | 113.40kr |
2 - 2 | 86.19kr | 107.74kr |
3 - 4 | 84.37kr | 105.46kr |
5 - 9 | 81.65kr | 102.06kr |
10 - 19 | 79.84kr | 99.80kr |
20 - 24 | 77.12kr | 96.40kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 90.72kr | 113.40kr |
2 - 2 | 86.19kr | 107.74kr |
3 - 4 | 84.37kr | 105.46kr |
5 - 9 | 81.65kr | 102.06kr |
10 - 19 | 79.84kr | 99.80kr |
20 - 24 | 77.12kr | 96.40kr |
N-kanals transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108. N-kanals transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 3400pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. Id(imp): 80A. IDss (min): n/a. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 280 ns. Td(på): 130 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (MOS VI). Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 16:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.