N-kanals transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

N-kanals transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
113.31kr
5-9
103.21kr
10-24
97.01kr
25+
92.18kr
Antal i lager: 18

N-kanals transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2600pF. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: nej. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 280pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K20J50D. Pd (effektförlust, max): 280W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 150 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: Fälteffekt POWER MOS-typ (MOSVII). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
TK20J50D
29 parametrar
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.22 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2600pF
Funktion
Byta regulatorapplikationer
G-S Skydd
nej
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
280pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K20J50D
Pd (effektförlust, max)
280W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
150 ns
Td(på)
100 ns
Teknik
Fälteffekt POWER MOS-typ (MOSVII)
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
1700 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba