N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247, 600V - APT15GP60BDQ1G
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 137.04kr | 171.30kr |
| 2 - 2 | 130.19kr | 162.74kr |
| 3 - 4 | 123.34kr | 154.18kr |
| 5 - 9 | 116.48kr | 145.60kr |
| 10 - 13 | 113.74kr | 142.18kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 137.04kr | 171.30kr |
| 2 - 2 | 130.19kr | 162.74kr |
| 3 - 4 | 123.34kr | 154.18kr |
| 5 - 9 | 116.48kr | 145.60kr |
| 10 - 13 | 113.74kr | 142.18kr |
N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247, 600V - APT15GP60BDQ1G. N-kanals transistor, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1685pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 55ms. Funktion: Strömförsörjning med högfrekvent switchläge. Kollektorström: 56A. Ic(puls): 65A. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: POWER MOS 7® IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 12:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.