Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 36.49kr | 45.61kr |
5 - 9 | 34.67kr | 43.34kr |
10 - 24 | 32.85kr | 41.06kr |
25 - 49 | 31.02kr | 38.78kr |
50 - 62 | 30.29kr | 37.86kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 36.49kr | 45.61kr |
5 - 9 | 34.67kr | 43.34kr |
10 - 24 | 32.85kr | 41.06kr |
25 - 49 | 31.02kr | 38.78kr |
50 - 62 | 30.29kr | 37.86kr |
N-kanals transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v - AP40T03GJ. N-kanals transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 25m Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03 GP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.