Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716

N-kanals transistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 14.77kr 18.46kr
5 - 9 14.03kr 17.54kr
10 - 24 13.29kr 16.61kr
25 - 48 12.55kr 15.69kr
Kvantitet U.P
1 - 4 14.77kr 18.46kr
5 - 9 14.03kr 17.54kr
10 - 24 13.29kr 16.61kr
25 - 48 12.55kr 15.69kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 48
Set med 1

N-kanals transistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716. N-kanals transistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. Resistans Rds På: 0.0058 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2154pF. Kostnad): 474pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 0.1mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25.2 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Antal per fodral: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 06:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.