N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A - BSS138LT1G-J1
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 3.47kr | 4.34kr |
| 10 - 24 | 3.30kr | 4.13kr |
| 25 - 49 | 3.13kr | 3.91kr |
| 50 - 99 | 2.95kr | 3.69kr |
| 100 - 249 | 1.81kr | 2.26kr |
| 250 - 499 | 1.77kr | 2.21kr |
| 500 - 40308 | 1.68kr | 2.10kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 3.47kr | 4.34kr |
| 10 - 24 | 3.30kr | 4.13kr |
| 25 - 49 | 3.13kr | 3.91kr |
| 50 - 99 | 2.95kr | 3.69kr |
| 100 - 249 | 1.81kr | 2.26kr |
| 250 - 499 | 1.77kr | 2.21kr |
| 500 - 40308 | 1.68kr | 2.10kr |
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A - BSS138LT1G-J1. N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J1. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 12:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.