N-kanals transistor, 200A, Andra, Andra, 1200V - CM200DY-24H

N-kanals transistor, 200A, Andra, Andra, 1200V - CM200DY-24H. N-kanals transistor, 200A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 40pF. Kostnad): 14pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Dubbel IGBT-transistor (isolerad). Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 200A. Ic(puls): 400A. Antal terminaler: 7. Mått: 108x62x31mm. Pd (effektförlust, max): 1500W. RoHS: ja. Spec info: Högeffektsväxling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 250 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Originalprodukt från tillverkaren Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 01:25.