N-kanals transistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastfodral, 30 v - CSD17313Q2T

N-kanals transistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastfodral, 30 v - CSD17313Q2T. N-kanals transistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastfodral, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.024...0.042 Ohms. Hölje: WSON6. Hölje (enligt datablad): 2 mm × 2 mm plastfodral. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 260pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 57A. Antal terminaler: 6. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 17W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 4.2 ns. Td(på): 2.8 ns. Teknik: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Originalprodukt från tillverkaren Texas Instruments. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 00:25.