Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 4,151.36kr | 5,189.20kr |
2 - 2 | 3,943.79kr | 4,929.74kr |
3 - 4 | 3,860.76kr | 4,825.95kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4,151.36kr | 5,189.20kr |
2 - 2 | 3,943.79kr | 4,929.74kr |
3 - 4 | 3,860.76kr | 4,825.95kr |
N-kanals transistor, 600A, Andra, Andra, 1200V - DF600R12IP4D. N-kanals transistor, 600A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 37pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 600A. Ic(puls): 1200A. Antal terminaler: 10. Mått: 172x89x37mm. Pd (effektförlust, max): 3350W. RoHS: ja. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.7 ns. Td(på): 0.21 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.