N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.042 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 480pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 54 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 62.8A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 543pF. Kostnad): 54pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 642 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 13nC, låg Crss 5,5pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 12A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 39W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 22.5 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3.5 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 740pF. Kostnad): 65pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 47W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.14 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 480pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 263 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 18nC, låg Crss 15pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 515pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 15nC, låg Crss 6,5pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 56W. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 3170pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 212A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-220, 1, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQPF8N60C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 45 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1255pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 81 ns. Td(på): 16.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.29 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1580pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 690 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. G-S Skydd: NINCS. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 59W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 790pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 44W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 93 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: +55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 40nC, låg Crss 14pF. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanals transistor, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 9.3 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 130pF. Kostnad): 19pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FQT1N60C. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 2.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 13 ns. Td(på): 7 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 240pF. Kostnad): 36pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 3.4A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 7 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 480pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 54 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 68.8A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. RoHS: ja. Spec info: låg grindladdning (typ 9.5nC). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: ja. Id(imp): 30A. IDss (min): na. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 36A. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 36A. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET

N-kanals transistor, 75A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 5300pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. obs: 6x IGBT+ CE Diode. Märkning på höljet: FS75R12KE3G. Antal terminaler: 35. Mått: 122x62x17.5mm. Pd (effektförlust, max): 355W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42us. Td(på): 26us. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanals transistor, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 1.54 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1380pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH-SPEED SW.. G-S Skydd: ja. Id(imp): 21A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 180 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 1200A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 74pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM--Tp=1mS 2400A. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 1790A. Ic(puls): 2400A. Antal terminaler: 7. Pd (effektförlust, max): 7150W. RoHS: NINCS. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.92 ns. Td(på): 0.41 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Tröskelspänning Vf (max): 2.35V. Framspänning Vf (min): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V

N-kanals transistor, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 5.3m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2500. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 200A. IDss (min): n/a. Märkning på höljet: G60N04K. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V

N-kanals transistor, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå grindad transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 39W. RoHS: ja. Spec info: IDM--80A pulse. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P( GCE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: "Strömresonansväxelriktaromkoppling". Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 400 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4650pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.3 ns. Td(på): 0.09 ns. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.45V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V