Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C

N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 40.97kr 51.21kr
5 - 9 38.92kr 48.65kr
10 - 24 36.87kr 46.09kr
25 - 49 34.82kr 43.53kr
50 - 67 34.00kr 42.50kr
Kvantitet U.P
1 - 4 40.97kr 51.21kr
5 - 9 38.92kr 48.65kr
10 - 24 36.87kr 46.09kr
25 - 49 34.82kr 43.53kr
50 - 67 34.00kr 42.50kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 67
Set med 1

N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C. N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 40nC, låg Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 02:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.